Rambus ha realizado un evento especial esta semana donde ha vuelto a hablar de la próxima generación de memoria RAM DDR5, pero lo más interesante fue conocer que ya se encuentra desarrollando la tercera generación de la Memoria de Alto Ancho de Banda / High Bandwidth Memory (HBM), más conocida como HBM3.

DDR5

De la memoria RAM DDR5 conocemos que llegará en algún momento del 2019 con una frecuencia base que rondará en torno a los 4800 MHz, el doble que los actuales 2400 MHz de la memoria DDR4, donde por ahora G.Skill y Corsair son las únicas compañías que han conseguido ofrecer kits de memoria a una velocidad de 4600 MHz, que ahora saben a poco conociendo la velocidad de partida de la DDR5, y más al conocer que su techo máximo teórico serán los 6400 MHz.

Debido a ello, la memoria DDR5 ofrecerá una transferencia de datos de 6.4 GB/s hasta 51.2 GB/s frente a los 3.2GB/s y 25.6 GB/s que alcanza a día de hoy la memoria DDR4. En lo que respecta al consumo también hay mejora, pues la memoria DDR5 @ 4800 MHz funcionará con 1.2v, frente a los 1.5v que necesita la DDR4 @ 4600 MHz. El bajo voltaje permitirá a los fabricantes de CPUs ofrecer a sus CPUs la posibilidad de gestionar hasta 16 módulos de memoria frente a los 12 actuales, mientras que la capacidad máxima de estos módulos pasaran de 64 a 128 GB. Eso sí, el mayor de los secretos será conocer los precios viendo lo que está sucediendo con la memoria DDR4.

La memoria RAM DDR5 se conformará por chips de memoria fabricados a una litografía de 10nm, aunque el objetivo es hacer que estos chips sean reemplazados cuando los 7nm sean factibles.

HBM3

De la memoria HBM3 aún sabemos muy poco, al menos lo más interesante es que se volverán a duplicar las velocidades respecto a la segunda generación HBM2 (@ 14nm), por lo que pasaremos de una velocidad de transferencia de 2000 Mbps a 4000 Mbps. La memoria HBM3 aún tiene una ventana de lanzamiento muy lejano, como mínimo para el 2020, es por ello que se desarrollará de forma nativa pensando en los 7nm.