Samsung comienza la fabricación en masa de stacks de 8GB de memoria HBM2 @ 2.4 Gbps

Samsung ha anunciado que su proceso de fabricación en masa de su 2ª Generación de chips de memoria HBM2 ha comenzado. Esta nueva generación llega en forma de unos stacks / pilas de memoria HBM2 (High Bandwidth Memory 2) de 8 GB de densidad con las velocidades de transmisión más rápidas del mercado: 2.4 Gbps por pin, lo que ayudará a acelerar el rendimiento de la supercomputación y claro, las tarjetas gráficas basadas en dicha memoria.

Para tener una idea más clara, los nuevos chips de memoria HBM2 de 8 GB de Samsung ofrecen una velocidad de 2.4 Gbps por pin requiriendo un voltaje de 1.2v, lo que se traduce en una mejora del rendimiento en casi un 50 por ciento respecto a la 1ª Generación de esta memoria, que también llegaba a 8 GB pero a una velocidad de 1.6 Gbps a 1.2v, mientras que los modelos más avanzados corren a 2.0 Gbps con un consumo de 1.35v.

Por si no fuera suficiente, Samsung aumentó la cantidad de espacios térmicos entre las matrices HBM2, lo que permite un control térmico más fuerte en cada paquete. Además, esta nueva memoria HBM2 incluye una capa protectora adicional en la parte inferior, que aumenta la resistencia física en general del paquete.

“Con nuestra producción de la primera memoria HBM2 de 2.4 Gbps y 8 GB, estamos fortaleciendo aún más nuestro liderazgo tecnológico y nuestra competitividad en el mercado”, dijo Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo, equipo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics.

“Continuaremos reforzando nuestro dominio del mercado de DRAM asegurando un suministro estable de HBM2 en todo el mundo”.

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