Los 10nm de Intel incrementa la densidad de transistores en un 270% frente a los 14nm

El proceso de fabricación de silicios FinFET a 10 nanómetros (10nm) de Intel está llegando a un ritmo mucho más lento de lo esperado, sin embargo, cuando lo haga, podría cambiar enormemente el futuro para el fabricante de procesadores.

Esto se ha descubierto después de darse a conocer un informe técnico de Tech Insights, donde los investigadores quitaron el encapsulado de un procesador Intel ‘Cannon Lake’ Core i3-8121U encontrado dentro de un portátil Lenovo Ideapad330 para luego colocarlo bajo su microscopio electrónico.

El resumen de la investigación menciona bastantes detalles jugosos, como que el mayor logro de alcanzar los 10 nanómetros se traduce en aumentar en 2,7 veces en la densidad de transistores respecto el actual nodo de 14nm, lo que permite a Intel acoplar hasta 100,8 millones de transistores por milímetro cuadrado.Una matriz de 127 mm² con nada más que un mar de transistores, podría tener 12.800 millones de transistores.

El nodo de Intel a 10nm también utiliza la tecnología FinFET de tercera generación, con una reducción en la longitud mínima de la puerta de 70 nm a 54 nm; mientras que la puerta metálica pasa de 52 nm a 36 nm. Con los 10nm también veremos a Intel introducir la metalización del cobalto en las capas a granel y de anclaje del sustrato de silicio. El cobalto surgió como una buena alternativa al tungsteno y al cobre como material de contacto entre capas debido a su menor resistencia en tamaños más pequeños.

vía: TechPowerUp

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