Samsung comienza la producción en masa de su 2ª Gen de chips LPDDR4X para móviles

Samsung Electronics anunció en el día de hoy el inicio de la producción en masa de su 2ª Generación de chips de memoria DRAM LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) a un proceso de fabricación de 10 nanómetros (10nm) mejorando la eficiencia energética, lo que ayuda a que el dispositivo móvil que integre esta memoria vea su autonomía mejorada.

Respecto a la actual generación, estos chips de memoria ofrecen el mismo rendimiento de 4266 MB/s pero reduciendo el consumo energético un 10 por ciento.

“La llegada de la memoria DRAM móvil de 10nm permitirá soluciones significativamente mejoradas para los dispositivos móviles insignia de próxima generación que deberían llegar al mercado a finales de este año o en la primera parte de 2019”. dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics.

“Continuaremos haciendo crecer nuestra línea de memoria DRAM premium para liderar el segmento de memoria de alto rendimiento, alta capacidad y baja potencia para satisfacer la demanda del mercado y fortalecer nuestra competitividad empresarial”.

Estos chips de memoria llegarán en una densidad de 16Gb (2GB) permitiendo configuraciones Quad Channel ampliando la tasa de transferencia de datos a 34.1 GB/s y darán vida a una gran variedad de dispositivos móviles en paquetes finales de 4GB, 6GB y 8GB de memoria RAM LPDDR4X.

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