Samsung lanza sus SSD 970 EVO Plus, mejorando notoriamente la velocidad de escritura

Samsung anunció el lanzamiento de sus nuevos SSDs 970 EVO Plus, una versión mejorada de los 970 EVO, donde la mejora notoria de rendimiento la pone el uso de sus nuevos chips de memoria Samsung V-NAND MLC de 96 capas frente a las 64 capas empleadas anteriormente, lo que le permite mejorar las velocidades secuenciales de forma notoria.

Esta unidad mantiene el uso de la misma controladora Samsung Phoenix, cuentan con una memoria caché en forma de chips de memoria DRAM de 512 MB LPDDR4 (modelos de 250GB/600GB), 1GB LPDDR4 (1TB) y 2GB LPDDR4 (2TB). Todo ello combinado, junto a la interfaz PCI-Express 3.0 x4 y el protocolo NVMe 1.3, nos da unas velocidades secuenciales de lectura y escritura de hasta 3.500/3.300 MB/s (vs 3.500/2.500 MB/s del 970 EVO), mientras que la lectura y escritura aleatoria 4K sube de forma notoria hasta los 620.000/560.000 IOPS (vs 500.000/480.000 IOPS).

La información de los Samsung 970 EVO Plus se completa con una vita útil de hasta 150 TB escritos (250GB), 300 TB (500GB), 600 TB (1TB) y 1.200 TB (2TB) con una garantía de 5 años. No se anunciaron sus precios.

“Desde que introdujimos las primeras unidades SSD de NVMe en el mercado de consumo en 2015, Samsung ha continuado desafiando las barreras técnicas en el diseño y el rendimiento de las unidades SSD”, dijo Mike Mang, vicepresidente de Marketing de Producto de Marca, Negocio de Memoria en Samsung Electronics.

“El nuevo 970 EVO Plus impulsado por la última tecnología V-NAND de quinta generación de Samsung ahora ofrecerá un rendimiento incomparable en su clase al asumir tareas exigentes como la edición de contenido 4K, el modelado 3D y la simulación, así como los juegos más exigentes”.

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