Toshiba fabrica los primeros chips de memoria UFS 3.0 para smartphones

Toshiba Memory Corporation anunció que ha sido el primer fabricante en comenzar la producción, a nivel de muestra de ingeniería, de sus chips de memoria UFS 3.0 (Universal Flash Storage Ver 3.0) destinada a los dispositivos móviles. Para ello la compañía ha hecho acopio de sus chips de memoria BiCS NAND Flash 3D de 96 capas permitiendo crear smartphones y tablets con 128, 256 y 512 GB de almacenamiento interno mejorando las velocidades secuenciales de lectura y escritura y todo ello disminuyendo el consumo energético, aunque no se llegó a indicar la mejora en términos de consumo.

Estas memorias embebidas para el almacenamiento cumplen con el estándar JEDEC, por lo la nueva tecnología UFS 3.0 debería alcanzar un rendimiento máximo teórico de 23.2 Gbps (2x 11.6 Gbps por línea) mientras que también soporta características que suprimen los aumentos en el consumo de energía. El rendimiento de lectura y escritura secuencial de un dispositivo con 512 GB de almacenamiento se ha mejorado en aproximadamente un 70 por ciento y un 80 por ciento, de forma respectiva, respecto a todos los dispositivos de la actual generación que emplean memoria UFS 2.0.

La compañía no indicó cuándo tendrá lista la producción en masa para nivel de consumo, pero quizás este anuncio haya sido muy apresurado, ya que los rumores indican que el próximo mes de febrero Samsung lanzaría su familia de smartphones Galaxy S10 empleando sus chips de memoria UFS 3.0, ahora tocará esperar para ver si estos rumores son ciertos.

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