Toshiba y Western Digital se unen para fabricar memoria 3D NAND Flash de 96 capas en Japón

Toshiba Memory Corporation y Western Digital Corp. han firmado una colaboración formal para invertir recursos en la fábrica «K1» que tiene en construcción Toshiba Memory en Kitakami, Japón. Esta fábrica elaborará chips de memoria 3D NAND Flash de muy alta densidad gracias a un diseño 3D de 96 capas/pisos, esperando que la producción en masa comiencen en algún momento del próximo año y esta memoria estará principalmente destinada a smartphones, centros de datos y vehículos autónomos.

Junto a los chinos, gracias a este anuncio es lógico pensar que las unidades de almacenamiento SSD y otros productos con esta memoria bajen rápidamente de precio a corto plazo.

«Estamos decididos a demostrar el liderazgo de Toshiba Memory en el mercado, incluida la colaboración con Western Digital para ejecutar activamente iniciativas que fortalezcan nuestra competitividad mutua», dijo Yasuo Naruke, Presidente y CEO de Toshiba Memory. «Esperamos desarrollar conjuntamente la memoria flash 3D y realizar inversiones adaptadas a oportunidades de mercado prometedoras».

«El acuerdo para invertir conjuntamente en las instalaciones de K1 marca la continuación de nuestra colaboración altamente exitosa con Toshiba Memory, que ha fomentado el crecimiento y la innovación de la tecnología NAND Flash durante dos décadas», dijo Steve Milligan, director ejecutivo de Western Digital. «La estrategia de inversión a largo plazo de Western Digital para la fábrica de Kitakami refleja nuestro compromiso continuo de impulsar el desarrollo y la fabricación de tecnología flash junto con Toshiba Memory. Esta expansión nos posiciona en buen lugar para proporcionar el suministro de memoria flash más competitivo de la industria para satisfacer las tendencias de demanda a largo plazo impulsadas por el creciente volumen, velocidad, variedad y valor de los datos».

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