Samsung anuncia el lanzamiento de su 3ª Gen de memoria HBM2E bautizada como Flashbolt

Samsung Electronics anunció hoy el lanzamiento de la tercera generación de su memoria High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), la cual ha sido bautizada como Flashbolt, que alcanza los 16 GB de capacidad, el doble que la 2ª Gen conocida como Aquabolt.

"Con la introducción de la DRAM de mayor rendimiento disponible hoy en día, estamos dando un paso crítico para mejorar nuestro papel como el innovador líder en el mercado de la memoria premium de rápido crecimiento", dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Marketing de Memorias en Samsung Electronics.

"Samsung seguirá cumpliendo su compromiso de ofrecer soluciones verdaderamente diferenciadoras mientras reforzamos nuestra ventaja en el mercado global de la memoria".

Flashbolt no solo duplica la capacidad, sino que también aumenta drásticamente el rendimiento y la eficiencia energética para mejorar significativamente los sistemas informáticos de próxima generación.

Los 16 GB de capacidad se consigue apilando verticalmente ocho capas de matrices DRAM de 10 nm (1y) y 16 gigabits (Gb) sobre un chip de memoria. Esta pila de memoria HBM2E se interconecta en una disposición precisa de más de 40.000 microburbujas "a través de la vía del silicio" (TSV), con cada die de 16Gb conteniendo más de 5.600 de estos agujeros microscópicos.

El Flashbolt de Samsung proporciona una velocidad de transferencia de datos altamente fiable de 3,2 Gbps, mientras que ofrece un ancho de banda de memoria de 410 GB/s por pila. Por otro lado, el techo actual de la memoria HBM2E de Samsung está en los 4,2 Gbps, la máxima velocidad de datos probada hasta la fecha, lo que permite un ancho de banda de hasta 538 GB/s en determinadas aplicaciones futuras. Esto representaría una mejora de x1,75 veces con respecto a los 307 GB/s de Aquabolt.

Samsung espera comenzar la producción en volumen de Flashbolt durante la primera mitad de este año.

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