Los fabricantes chinos de memoria DRAM han robado la IP de DRAM de Samsung, SK Hynix y Micron
Según el periódico Korea Times, Samsung, SK Hynix y Micron han sido las últimas víctimas de un plan de espionaje industrial a gran escala efectuado por los fabricantes chinos de memoria DRAM para robar su Propiedad Intelectual (IP).
Los actuales fabricantes de memoria DRAM construyen sus productos con las IP adquiridas durante décadas, y es algo que por el momento las empresas chinas no tienen, y tampoco están dispuestas a obtener licencias de los fabricantes de DRAM establecidos.
“Samsung Electronics y SK Hynix se han convertido en el blanco del espionaje industrial de los fabricantes de chips de memoria chinos. En los semiconductores, las patentes son fundamentales para la estructura de costes. Las empresas deben proteger algo a lo que le han dedicado décadas de trabajo. El resultado es que las compañías chinas están intentando infringir las patentes de Samsung y SK Hynix”, dijo un funcionario coreano involucrado en la investigación de robo de propiedad intelectual.
“Sin propiedad intelectual, no puede convertirse en un jugador significativo. Necesita tecnología nueva y debe tener una capacidad para la producción a gran escala. Además, debe estar calificado para las especificaciones y los diseños del producto, y para satisfacer las demandas de solicitudes de clientes exigentes. Todo esto se puede hacer con la propiedad intelectual que se ha construido a lo largo de décadas. Las empresas chinas no están preparadas para esto”, dijo un ingeniero de Samsung. “Las empresas chinas están descubriendo que el desarrollo de DRAM y los procesos de fabricación de memorias flash son más difíciles de lo que pensaban”.
Ambas compañías coreanas están siguiendo de cerca la batalla legal en curso entre Micron Technology y Fujian Jin Hua IC en los tribunales chinos; donde a la compañía estadounidense le está yendo mal en su contrademanda. Se alega que Fujian Jin Hua IC usó la fundición de semiconductores taiwaneses, UMC, para robar la propiedad intelectual de Micron, mientras que una contrademanda de UMC parece haber ganado en los tribunales chinos. Como resultado, Micron podría ser expulsada del mercado por parte de China, en el contexto de una de las mayores guerras comerciales entre China y los Estados Unidos.
vía: TechPowerUp
La entrada Los fabricantes chinos de memoria DRAM han robado la IP de DRAM de Samsung, SK Hynix y Micron aparece primero en El Chapuzas Informático.
via Hardware – El Chapuzas Informático
Deja tu comentario